Samsung comienza a producir sus nuevas memorias RAM de 10 nanómetros

Publicado: 07 Abril 2016, 09:27
por Cazador


Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció que ha comenzado con la producción en masa para la industria de la primera memoria de clase 10 nanómetros (nm), los chips DRAM de 8-gigabit (Gb) DDR4 (double-data-rate-4) y los módulos de derivados de ellos. La memoria DDR4 se está convirtiendo rápidamente en la memoria que más se produce para los ordenadores personales y redes de TI en el mundo, y el último avance de Samsung ayudará a acelerar el cambio de toda la industria de estos productos.

Samsung ha comenzado a producir en masa la DRAM de clase 10nm que marcará otro hito para la compañía

La nueva memoria DRAM es compatible con una velocidad de transferencia de datos de 3200 Mbps, que es un 30 por ciento más rápida que la tasa de 2400Mbps de las anteriores DDR4 DRAM de 20nm. Además, los nuevos módulos producidos a partir de los chips DRAM de clase 10nm, consumen de un 10 a un 20 por ciento menos de energía, en comparación con sus equivalentes basados ​​en el proceso de producción de la tecnología de 20nm, lo que mejorará la eficiencia en el diseño de los sistemas de próxima generación, la computación de alto rendimiento (HPC) y otras grandes redes empresariales, así como los que se utilizan para los mercados de servidores en PC.

La primera DRAM de clase 10nm para la industria, es el resultado de la integración de un diseño avanzado de la memoria y la tecnología de fabricación de Samsung

A diferencia de la memoria flash NAND, en la que una sola célula se compone solamente de un transistor, cada célula DRAM requiere un condensador y un transistor que están unidos entre sí, por lo general el condensador se coloca en la parte superior de la zona donde se apoya el transistor. En el caso de la nueva memoria DRAM de clase 10nm, se añade otro nivel de dificultad, ya que se tienen que apilar los condensadores más estrechos en forma de cilindro que almacenan grandes cargas eléctricas, en la parte superior de unas pocas docenas de transistores a escala de nanómetros, la creación de más de ocho mil millones Células.



Samsung ha creado correctamente la nueva estructura de la célula de clase 10 nm mediante la utilización de una tecnología de diseño de circuitos patentada y la litografía de patrón cuádruple. A través de este patrón cuádruple, que permite el uso de equipos de fotolitografía existente, Samsung también construyó la base tecnológica básica para el desarrollo de la próxima generación de chips de clase 10nm DRAM.

Sobre la base de sus avances con el nuevo 10nm clase DRAM DDR4, Samsung espera introducir también una solución móvil DRAM de clase 10nm con alta densidad y velocidad para finales de este año, lo que se solidificará aún más su liderazgo en el mercado de teléfonos inteligentes ultra-alta definición.

Fuente: Samsung

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