¬° Por favor active Javascript! / Please turn on Javascript!
Samsung comienza a producir sus nuevas memorias RAM de 10 nanómetros

Noticias » Tecnolog√≠a - 07 Abril 2016, 09:27

Nuevas tecnologías y actualidad
Imagen

Samsung Electronics Co., Ltd., l√≠der mundial en tecnolog√≠a de memoria avanzada, anunci√≥ que ha comenzado con la producci√≥n en masa para la industria de la primera memoria de clase 10 nan√≥metros (nm), los chips DRAM de 8-gigabit (Gb) DDR4 (double-data-rate-4) y los m√≥dulos de derivados de ellos. La memoria DDR4 se est√° convirtiendo r√°pidamente en la memoria que m√°s se produce para los ordenadores personales y redes de TI en el mundo, y el √ļltimo avance de Samsung ayudar√° a acelerar el cambio de toda la industria de estos productos.

Samsung ha comenzado a producir en masa la DRAM de clase 10nm que marcar√° otro hito para la compa√Ī√≠a

La nueva memoria DRAM es compatible con una velocidad de transferencia de datos de 3200 Mbps, que es un 30 por ciento m√°s r√°pida que la tasa de 2400Mbps de las anteriores DDR4 DRAM de 20nm. Adem√°s, los nuevos m√≥dulos producidos a partir de los chips DRAM de clase 10nm, consumen de un 10 a un 20 por ciento menos de energ√≠a, en comparaci√≥n con sus equivalentes basados ‚Äč‚Äčen el proceso de producci√≥n de la tecnolog√≠a de 20nm, lo que mejorar√° la eficiencia en el dise√Īo de los sistemas de pr√≥xima generaci√≥n, la computaci√≥n de alto rendimiento (HPC) y otras grandes redes empresariales, as√≠ como los que se utilizan para los mercados de servidores en PC.

La primera DRAM de clase 10nm para la industria, es el resultado de la integraci√≥n de un dise√Īo avanzado de la memoria y la tecnolog√≠a de fabricaci√≥n de Samsung

A diferencia de la memoria flash NAND, en la que una sola c√©lula se compone solamente de un transistor, cada c√©lula DRAM requiere un condensador y un transistor que est√°n unidos entre s√≠, por lo general el condensador se coloca en la parte superior de la zona donde se apoya el transistor. En el caso de la nueva memoria DRAM de clase 10nm, se a√Īade otro nivel de dificultad, ya que se tienen que apilar los condensadores m√°s estrechos en forma de cilindro que almacenan grandes cargas el√©ctricas, en la parte superior de unas pocas docenas de transistores a escala de nan√≥metros, la creaci√≥n de m√°s de ocho mil millones C√©lulas.

Imagen

Samsung ha creado correctamente la nueva estructura de la c√©lula de clase 10 nm mediante la utilizaci√≥n de una tecnolog√≠a de dise√Īo de circuitos patentada y la litograf√≠a de patr√≥n cu√°druple. A trav√©s de este patr√≥n cu√°druple, que permite el uso de equipos de fotolitograf√≠a existente, Samsung tambi√©n construy√≥ la base tecnol√≥gica b√°sica para el desarrollo de la pr√≥xima generaci√≥n de chips de clase 10nm DRAM.

Sobre la base de sus avances con el nuevo 10nm clase DRAM DDR4, Samsung espera introducir tambi√©n una soluci√≥n m√≥vil DRAM de clase 10nm con alta densidad y velocidad para finales de este a√Īo, lo que se solidificar√° a√ļn m√°s su liderazgo en el mercado de tel√©fonos inteligentes ultra-alta definici√≥n.

Fuente: Samsung


MensajePublicado por Cazador » 07 Abril 2016, 09:27


Avatar de Usuario

Acerca del autor

Autor: Cazador
Biograf√≠a: Fundador y redactor de ELSATE.com. Aficionado de la Tecnolog√≠a, los Videojuegos, la M√ļsica Electr√≥nica y el Deporte. Analista de Sistemas con m√°s de 15 a√Īos de experiencia, que comparte su pasi√≥n por la inform√°tica y sus conocimientos adquiridos para ayudar al resto de usuarios de esta comunidad.



M√ĀS NOTICIAS



Volver a ‚ÄúTecnolog√≠a‚ÄĚ

¬ŅQui√©n est√° conectado?

Usuarios navegando por este Foro: No hay usuarios registrados visitando el Foro y 1 invitado

PUBLICIDAD
TRADUCTOR DE IDIOMA