Samsung comienza a producir modulos DDR4 de 128 Gigabytes para la industria de servidores

Publicado: 29 Noviembre 2015, 13:23
por Cazador


Samsung Electronics anunció que está produciendo en masa un nuevo módulo de memoria utilizando la tecnología "a través de silicio" (TSV) de doble memoria de tipo DDR4 en módulos de 128 gigabytes (GB), para servidores empresariales y centros de datos.

Después de la llegada por parte de Samsung del módulo 3D TSV DDR4 DRAM (64 GB) en 2014, marca otro avance que abre la puerta para la memoria de ultra alta capacidad a nivel de empresa. Este nuevo módulo TSV DRAM de Samsung cuenta con la mayor capacidad y el rendimiento energético más alto de cualquiera de los módulos DRAM de hoy, mientras que funciona a gran velocidad y que demuestra una excelente fiabilidad.

"Estamos orgullosos que la producción a gran escala de nuestro módulo mDRAM TSV de 128GB de bajo consumo y alta velocidad permitirá que nuestros clientes y socios en las TI ofrezcan nuevas soluciones con mejoras impresionantes en eficiencia y escalabilidad por su inversión", dijo en el comunicado Joo Sun Choi, vicepresidente de ventas y marketing de memorias en Samsung Electronics.

El módulo TSV DDR4 RDIMM de 128GB se compone de un total de 144 fichas DDR4, dispuestas en 36 paquetes de 4 GB de DRAM, conteniendo cada uno de cuatro de 20 nanómetros (nm) basado en 8 gigabits (Gb) los chips ensamblados con tecnología de envasado TSV más moderna.

Fuente: Samsung - http://news.samsung.com/global/samsung- ... se-servers

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